kyle@carrysemi.com +86-18718688232 Добро пожаловать Carrysemi Technology Co., Ltd.
Фотографии Часть # Акции Цены Количество Таблицы данных Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IGOT60R070D1E8220AUMA1

IGOT60R070D1E8220AUMA1

GAN HV

Infineon Technologies

3614 0.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

Bulk CoolGaN™ Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 31A (Tc) - - 1.6V @ 2.6mA - -10V 380 pF @ 400 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IGT60R070D1E8220ATMA1

IGT60R070D1E8220ATMA1

GAN HV

Infineon Technologies

3749 0.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

Bulk CoolGaN™ Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 31A (Tc) - - 1.6V @ 2.6mA - -10V 380 pF @ 400 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IGT60R190D1ATMA1

IGT60R190D1ATMA1

GAN HV

Infineon Technologies

3902 0.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

Bulk - Active - - - - - - - - - - - - - -
IGO60R070D1E8220AUMA1

IGO60R070D1E8220AUMA1

GAN HV

Infineon Technologies

2265 0.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

Bulk CoolGaN™ Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 31A (Tc) - - 1.6V @ 2.6mA - -10V 380 pF @ 400 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IPD088N06N3GATMA1

IPD088N06N3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Infineon Technologies

2402 0.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPD088N06N3GATMA1

Datasheet

Tape & Reel (TR) OptiMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 10V 8.8mOhm @ 50A, 10V 4V @ 34µA 48 nC @ 10 V ±20V 3900 pF @ 30 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
BSC0906NSE8189ATMA1

BSC0906NSE8189ATMA1

MOSFET N-CH 30V TDSON

Infineon Technologies

3930 0.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

Bulk OptiMOS™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 18A (Ta), 63A (Tc) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IPI032N06N3GE8214AKSA1

IPI032N06N3GE8214AKSA1

MOSFET N-CH 60V TO262-3

Infineon Technologies

2029 0.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

Tube OptiMOS™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 3.2mOhm @ 100A, 10V 4V @ 118µA 165 nC @ 10 V ±20V 13000 pF @ 30 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IPT039N15N5XTMA1

IPT039N15N5XTMA1

TRENCH >=100V PG-HSOF-8

Infineon Technologies

3043 0.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

Tape & Reel (TR) OptiMOS™ Discontinued at Mosen N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 190A (Tc) 8V, 10V 3.9mOhm @ 50A, 10V 4.6V @ 257µA 98 nC @ 10 V ±20V 7700 pF @ 75 V - 319W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPD039N08NF2SATMA1

IPD039N08NF2SATMA1

TRENCH 40<-<100V PG-TO252-3

Infineon Technologies

2561 0.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

Tape & Reel (TR) * Discontinued at Mosen - - - - - - - - - - - - - -
IAUS300N04S4N007ATMA1

IAUS300N04S4N007ATMA1

MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8

Infineon Technologies

3677 0.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IAUS300N04S4N007ATMA1

Datasheet

Tape & Reel (TR) OptiMOS™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 300A (Tc) 10V 740mOhm @ 100A, 10V 4V @ 275µA 342 nC @ 10 V ±20V 27356 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPD053N08NF2SATMA1

IPD053N08NF2SATMA1

TRENCH 40<-<100V PG-TO252-3

Infineon Technologies

2703 0.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

Tape & Reel (TR) * Discontinued at Mosen - - - - - - - - - - - - - -
IMT65R260M1HXTMA1

IMT65R260M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8

Infineon Technologies

3011 0.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

Tape & Reel (TR) * Active - - - - - - - - - - - - - -
IMT65R030M1HXTMA1

IMT65R030M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8

Infineon Technologies

2119 0.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

Tape & Reel (TR) * Active - - - - - - - - - - - - - -
IMT65R072M1HXTMA1

IMT65R072M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8

Infineon Technologies

3561 0.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

Tape & Reel (TR) * Active - - - - - - - - - - - - - -
IMT65R057M1HXTMA1

IMT65R057M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8

Infineon Technologies

3447 0.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

Tape & Reel (TR) * Active - - - - - - - - - - - - - -
IMT65R163M1HXTMA1

IMT65R163M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8

Infineon Technologies

2551 0.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

Tape & Reel (TR) * Active - - - - - - - - - - - - - -
IMT65R107M1HXTMA1

IMT65R107M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8

Infineon Technologies

2415 0.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

Tape & Reel (TR) * Active - - - - - - - - - - - - - -
IMT65R022M1HXTMA1

IMT65R022M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8

Infineon Technologies

2422 0.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

Tape & Reel (TR) * Active - - - - - - - - - - - - - -
IMT65R039M1HXTMA1

IMT65R039M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8

Infineon Technologies

2866 0.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IMT65R039M1HXTMA1

Datasheet

Tape & Reel (TR) * Active - - - - - - - - - - - - - -
BSC0303LSATMA1

BSC0303LSATMA1

TRENCH >=100V PG-TDSON-8

Infineon Technologies

3063 0.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

BSC0303LSATMA1

Datasheet

Tape & Reel (TR) OptiMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 68A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 34A, 10V 2.4V @ 72µA 51 nC @ 10 V ±20V 4900 pF @ 60 V - 114W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
Total 42446 Records«Prev1... 412413414415416417418419...2123Next»
RFQ
Номер запчасти
Количество
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    О нас

    О нас