dandan@carrysemi.com +86-13546881014(dandan) Добро пожаловать Carrysemi Technology Co., Ltd.
Фотографии Часть # Акции Цены Количество Таблицы данных Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IPP65R060CFD7XKSA1

IPP65R060CFD7XKSA1

650V FET COOLMOS TO247

Infineon Technologies

980 9.75
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPP65R060CFD7XKSA1

Datasheet

Tube CoolMOS™ CFD7 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 36A (Tc) 10V 60mOhm @ 16.4A, 10V 4.5V @ 860µA 68 nC @ 10 V ±20V 3288 pF @ 400 V - 171W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IMBG120R090M1HXTMA1

IMBG120R090M1HXTMA1

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263

Infineon Technologies

1861 14.13
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IMBG120R090M1HXTMA1

Datasheet

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) CoolSiC™ Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 26A (Tc) - 125mOhm @ 8.5A, 18V 5.7V @ 3.7mA 23 nC @ 18 V +18V, -15V 763 pF @ 800 V Standard 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IMBG65R048M1HXTMA1

IMBG65R048M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Infineon Technologies

1000 15.71
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) * Active - - - - - - - - - - - - - -
IMW65R083M1HXKSA1

IMW65R083M1HXKSA1

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Infineon Technologies

162 12.65
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IMW65R083M1HXKSA1

Datasheet

Tube CoolSiC™ Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 24A (Tc) 18V 111mOhm @ 11.2A, 18V 5.7V @ 3.3mA 19 nC @ 18 V +20V, -2V 624 pF @ 400 V - 104W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
BSD314SPEH6327XTSA1

BSD314SPEH6327XTSA1

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6

Infineon Technologies

14814 0.46
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

BSD314SPEH6327XTSA1

Datasheet

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) OptiMOS™ Last Time Buy P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.5A (Ta) 4.5V, 10V 140mOhm @ 1.5A, 10V 2V @ 6.3µA 2.9 nC @ 10 V ±20V 294 pF @ 15 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IMZA65R083M1HXKSA1

IMZA65R083M1HXKSA1

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Infineon Technologies

2928 13.60
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IMZA65R083M1HXKSA1

Datasheet

Tube CoolSiC™ Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 26A (Tc) 18V 111mOhm @ 11.2A, 18V 5.7V @ 3.3mA 19 nC @ 18 V +20V, -2V 624 pF @ 400 V - 104W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
BTS240AHKSA1

BTS240AHKSA1

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

12798 11.74
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

BTS240AHKSA1

Datasheet

Bulk * Obsolete - - - - - - - - - - - - - -
IMW65R039M1HXKSA1

IMW65R039M1HXKSA1

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Infineon Technologies

133 19.90
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IMW65R039M1HXKSA1

Datasheet

Tube CoolSiC™ Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 46A (Tc) 18V 50mOhm @ 25A, 18V 5.7V @ 7.5mA 41 nC @ 18 V +20V, -2V 1393 pF @ 400 V - 176W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IMZA65R039M1HXKSA1

IMZA65R039M1HXKSA1

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Infineon Technologies

224 20.64
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IMZA65R039M1HXKSA1

Datasheet

Tube CoolSiC™ Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 50A (Tc) 18V 50mOhm @ 25A, 18V 5.7V @ 7.5mA 41 nC @ 18 V +20V, -2V 1393 pF @ 400 V - 176W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IMW65R030M1HXKSA1

IMW65R030M1HXKSA1

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Infineon Technologies

131 23.35
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IMW65R030M1HXKSA1

Datasheet

Tube CoolSiC™ Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 58A (Tc) 18V 42mOhm @ 29.5A, 18V 5.7V @ 8.8mA 48 nC @ 18 V +20V, -2V 1643 pF @ 400 V - 197W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IMZA65R030M1HXKSA1

IMZA65R030M1HXKSA1

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Infineon Technologies

200 24.03
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IMZA65R030M1HXKSA1

Datasheet

Tube CoolSiC™ Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 53A (Tc) 18V 42mOhm @ 29.5A, 18V 5.7V @ 8.8mA 48 nC @ 18 V +20V, -2V 1643 pF @ 400 V - 197W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IMW120R020M1HXKSA1

IMW120R020M1HXKSA1

SIC DISCRETE

Infineon Technologies

3455 39.67
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IMW120R020M1HXKSA1

Datasheet

Tube CoolSiC™ Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 98A (Tc) 15V, 18V 26.9mOhm @ 41A, 18V 5.2V @ 17.6mA 83 nC @ 18 V +20V, -5V 3460 nF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IRF9332TRPBF

IRF9332TRPBF

MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO

Infineon Technologies

11348 0.95
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IRF9332TRPBF

Datasheet

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) HEXFET® Last Time Buy P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.8A (Ta) 4.5V, 10V 17.5mOhm @ 9.8A, 10V 2.4V @ 25µA 41 nC @ 10 V ±20V 1270 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRLMS1902TRPBF

IRLMS1902TRPBF

MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6

Infineon Technologies

5757 0.65
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IRLMS1902TRPBF

Datasheet

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) HEXFET® Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.2A (Ta) 2.7V, 4.5V 100mOhm @ 2.2A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 7 nC @ 4.5 V ±12V 300 pF @ 15 V - 1.7W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
BSP716NH6327XTSA1

BSP716NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223-4

Infineon Technologies

2547 0.68
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

BSP716NH6327XTSA1

Datasheet

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) OptiMOS™ Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 2.3A (Ta) 4.5V, 10V 160mOhm @ 2.3A, 10V 1.8V @ 218µA 13.1 nC @ 10 V ±20V 315 pF @ 25 V - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IPD70R950CEAUMA1

IPD70R950CEAUMA1

MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3

Infineon Technologies

1500 0.93
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPD70R950CEAUMA1

Datasheet

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) CoolMOS™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 7.4A (Tc) 10V 950mOhm @ 1.5A, 10V 3.5V @ 150µA 15.3 nC @ 10 V ±20V 328 pF @ 100 V Super Junction 68W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRF7401TRPBF

IRF7401TRPBF

MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO

Infineon Technologies

8216 1.06
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IRF7401TRPBF

Datasheet

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) HEXFET® Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 8.7A (Ta) 2.7V, 4.5V 22mOhm @ 4.1A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 48 nC @ 4.5 V ±12V 1600 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRF7455TRPBF

IRF7455TRPBF

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

Infineon Technologies

3831 1.53
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IRF7455TRPBF

Datasheet

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) HEXFET® Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 15A (Ta) 2.8V, 10V 7.5mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 56 nC @ 5 V ±12V 3480 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
BSB013NE2LXIXUMA1

BSB013NE2LXIXUMA1

MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON

Infineon Technologies

19409 1.95
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

BSB013NE2LXIXUMA1

Datasheet

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) OptiMOS™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 36A (Ta), 163A (Tc) 4.5V, 10V 1.3mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±20V 4400 pF @ 12 V - 2.8W (Ta), 57W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRF520NSTRLPBF

IRF520NSTRLPBF

MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

Infineon Technologies

4646 1.55
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IRF520NSTRLPBF

Datasheet

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) HEXFET® Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.7A (Tc) 10V 200mOhm @ 5.7A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 330 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
Total 42446 Records«Prev1... 3031323334353637...2123Next»
RFQ
Номер запчасти
Количество
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    О нас

    О нас