dandan@carrysemi.com +86-13546881014(dandan) Добро пожаловать Carrysemi Technology Co., Ltd.
Фотографии Часть # Акции Цены Количество Таблицы данных Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IPD78CN10NG

IPD78CN10NG

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Infineon Technologies

2690 1.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPD78CN10NG

Datasheet

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
BSC030N03MSG

BSC030N03MSG

BSC030N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

Infineon Technologies

3099 0.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

BSC030N03MSG

Datasheet

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IPW60R031CFD7

IPW60R031CFD7

600V COOLMOS N-CHANNEL POWER MOS

Infineon Technologies

3956 1.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IPW65R019C7

IPW65R019C7

75A, 650V, 0.019OHM, N-CHANNEL M

Infineon Technologies

2815 1.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPW65R019C7

Datasheet

Bulk CoolMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 19mOhm @ 58.3A, 10V 4V @ 2.92mA 215 nC @ 10 V ±20V 9900 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IPB80N06S2L-11

IPB80N06S2L-11

IPB80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT

Infineon Technologies

3900 1.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPB80N06S2L-11

Datasheet

Bulk CoolMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 11mOhm @ 40A, 10V 2V @ 93µA 80 nC @ 10 V ±20V 2075 pF @ 25 V - 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IPN70R1K5CE

IPN70R1K5CE

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Infineon Technologies

2148 1.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPN70R1K5CE

Datasheet

Bulk CoolMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 5.4A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1A, 10V 3.5V @ 100µA 10.5 nC @ 10 V ±20V 225 pF @ 100 V - 5W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IPD25N06S4L-30ATMA2

IPD25N06S4L-30ATMA2

IPD25N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT

Infineon Technologies

2407 1.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPD25N06S4L-30ATMA2

Datasheet

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IPP60R125CP

IPP60R125CP

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

Infineon Technologies

3006 1.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPP60R125CP

Datasheet

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IPP60R600P6

IPP60R600P6

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

Infineon Technologies

2495 1.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPP60R600P6

Datasheet

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IPW60R125P6

IPW60R125P6

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Infineon Technologies

3799 1.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPW60R125P6

Datasheet

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
SP000685844

SP000685844

IPP60R125C6XKSA1 - COOLMOS N-CHA

Infineon Technologies

2735 1.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

SP000685844

Datasheet

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IPI041N12N3G

IPI041N12N3G

IPI041N12 - 12V-300V N-CHANNEL P

Infineon Technologies

2402 1.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPI041N12N3G

Datasheet

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IPP60R125C6

IPP60R125C6

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

Infineon Technologies

3024 1.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPP60R125C6

Datasheet

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IPI075N15N3G

IPI075N15N3G

OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

2332 1.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPI075N15N3G

Datasheet

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IPA60R160P6

IPA60R160P6

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Infineon Technologies

3411 1.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPA60R160P6

Datasheet

Bulk CoolMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23.8A (Tc) 10V 160mOhm @ 9A, 10V 4.5V @ 750µA 44 nC @ 10 V ±20V 2080 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IPA90R800C3

IPA90R800C3

MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220

Infineon Technologies

3367 1.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPA90R800C3

Datasheet

Bulk CoolMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 6.9A (Tc) - 800mOhm @ 4.1A, 10V 3.5V @ 460µA 42 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
BSC019N04NSG

BSC019N04NSG

BSC019N04 - 12V-300V N-CHANNEL P

Infineon Technologies

2092 1.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
BSC050N03LSGXT

BSC050N03LSGXT

BSC050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

Infineon Technologies

2683 1.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

BSC050N03LSGXT

Datasheet

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IPW65R190C7

IPW65R190C7

IPW65R190 - 650V AND 700V COOLMO

Infineon Technologies

2639 1.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPW65R190C7

Datasheet

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IPP65R225C7

IPP65R225C7

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Infineon Technologies

3748 1.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPP65R225C7

Datasheet

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
Total 42446 Records«Prev1... 182183184185186187188189...2123Next»
RFQ
Номер запчасти
Количество
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    О нас

    О нас