dandan@carrysemi.com +86-13546881014(dandan) Добро пожаловать Carrysemi Technology Co., Ltd.
Фотографии Часть # Акции Цены Количество Таблицы данных Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
IPW90R120C3XKSA1

IPW90R120C3XKSA1

MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3

Infineon Technologies

3364 19.43
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPW90R120C3XKSA1

Datasheet

Tube CoolMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 36A (Tc) 10V 120mOhm @ 26A, 10V 3.5V @ 2.9mA 270 nC @ 10 V ±20V 6800 pF @ 100 V - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IMBG65R022M1HXTMA1

IMBG65R022M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Infineon Technologies

3323 26.96
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IMBG65R022M1HXTMA1

Datasheet

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) * Active - - - - - - - - - - - - - -
IMW120R040M1HXKSA1

IMW120R040M1HXKSA1

SIC DISCRETE

Infineon Technologies

3812 23.72
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IMW120R040M1HXKSA1

Datasheet

Tube CoolSiC™ Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 55A (Tc) 15V, 18V 54.4mOhm @ 19.3A, 18V 5.2V @ 10mA 39 nC @ 18 V +20V, -5V 1620 nF @ 25 V - 227W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IPZA65R018CFD7XKSA1

IPZA65R018CFD7XKSA1

HIGH POWER_NEW

Infineon Technologies

3721 24.29
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPZA65R018CFD7XKSA1

Datasheet

Tube CoolMOS™ CFD7 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 106A (Tc) 10V 18mOhm @ 58.2A, 10V 4.5V @ 2.91mA 234 nC @ 10 V ±20V 11660 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IMBG120R030M1HXTMA1

IMBG120R030M1HXTMA1

SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263

Infineon Technologies

3509 30.86
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IMBG120R030M1HXTMA1

Datasheet

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) CoolSiC™ Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 56A (Tc) - 41mOhm @ 25A, 18V 5.7V @ 11.5mA 63 nC @ 18 V +18V, -15V 2290 pF @ 800 V Standard 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IMZA120R040M1HXKSA1

IMZA120R040M1HXKSA1

SIC DISCRETE

Infineon Technologies

2382 24.61
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IMZA120R040M1HXKSA1

Datasheet

Tube CoolSiC™ Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 55A (Tc) 15V, 18V 54.4mOhm @ 19.3A, 18V 5.2V @ 8.3mA 39 nC @ 18 V +20V, -5V 1620 nF @ 25 V - 227W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IPW65R018CFD7XKSA1

IPW65R018CFD7XKSA1

650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION

Infineon Technologies

2873 28.51
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPW65R018CFD7XKSA1

Datasheet

Tube CoolMOS™ CFD7 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 106A (Tc) 10V 18mOhm @ 58.2A, 10V 4.5V @ 2.91mA 234 nC @ 10 V ±20V 11659 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IPDQ60R010S7XTMA1

IPDQ60R010S7XTMA1

HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

Infineon Technologies

3779 36.44
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPDQ60R010S7XTMA1

Datasheet

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) CoolMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 50A (Tc) 12V 10mOhm @ 50A, 12V 4.5V @ 3.08mA 318 nC @ 12 V ±20V 11987 pF @ 300 V - 694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IPDQ60R010S7AXTMA1

IPDQ60R010S7AXTMA1

AUTOMOTIVE PG-HDSOP-22

Infineon Technologies

3955 40.08
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IPDQ60R010S7AXTMA1

Datasheet

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 50A (Tc) 12V 10mOhm @ 50A, 12V 4.5V @ 3.08mA 318 nC @ 12 V ±20V 11987 pF @ 300 V - 694W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IMZA120R020M1HXKSA1

IMZA120R020M1HXKSA1

SIC DISCRETE

Infineon Technologies

3833 42.02
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IMZA120R020M1HXKSA1

Datasheet

Tube CoolSiC™ Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 98A (Tc) 15V, 18V 26.9mOhm @ 41A, 18V 5.2V @ 17.6mA 83 nC @ 18 V +20V, -5V 3460 nF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IMW120R014M1HXKSA1

IMW120R014M1HXKSA1

SIC DISCRETE

Infineon Technologies

2381 53.30
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IMW120R014M1HXKSA1

Datasheet

Tube CoolSiC™ Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 127A (Tc) 15V, 18V 18.4mOhm @ 54.3A, 18V 5.2V @ 23.4mA 110 nC @ 18 V +20V, -5V 4580 nF @ 25 V - 455W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IMZA120R014M1HXKSA1

IMZA120R014M1HXKSA1

SIC DISCRETE

Infineon Technologies

2742 55.86
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IMZA120R014M1HXKSA1

Datasheet

Tube CoolSiC™ Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 127A (Tc) 15V, 18V 18.4mOhm @ 54.3A, 18V 5.2V @ 23.4mA 110 nC @ 18 V +20V, -5V 4580 nF @ 25 V - 455W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IMW120R007M1HXKSA1

IMW120R007M1HXKSA1

SIC DISCRETE

Infineon Technologies

3613 97.14
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IMW120R007M1HXKSA1

Datasheet

Tube CoolSiC™ Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 225A (Tc) 15V, 18V 9.9mOhm @ 108A, 18V 5.2V @ 47mA 220 nC @ 18 V +20V, -5V 9170 nF @ 25 V - 750W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
IMZA120R007M1HXKSA1

IMZA120R007M1HXKSA1

SIC DISCRETE

Infineon Technologies

2054 100.51
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IMZA120R007M1HXKSA1

Datasheet

Tube CoolSiC™ Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 225A (Tc) 15V, 18V 9.9mOhm @ 108A, 18V 5.2V @ 47mA 220 nC @ 18 V +20V, -5V 9170 nF @ 25 V - 750W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
SN7002WH6433XTMA1

SN7002WH6433XTMA1

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323

Infineon Technologies

3950 1.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

SN7002WH6433XTMA1

Datasheet

Tape & Reel (TR),Bulk * Not For New Designs - - - - 4.5V, 10V - - - ±20V - - - - -
BSS670S2LH6433XTMA1

BSS670S2LH6433XTMA1

MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23

Infineon Technologies

3842 0.08
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

BSS670S2LH6433XTMA1

Datasheet

Tape & Reel (TR) * Active - - - - 4.5V, 10V - - - ±20V - - - - -
BSD214SNH6327XTSA1

BSD214SNH6327XTSA1

MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6

Infineon Technologies

2974 1.00
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

BSD214SNH6327XTSA1

Datasheet

Tape & Reel (TR),Bulk OptiMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.5A (Ta) 2.5V, 4.5V 140mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.2V @ 3.7µA 0.8 nC @ 5 V ±12V 143 pF @ 10 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
BSS87H6327XTSA1

BSS87H6327XTSA1

MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4

Infineon Technologies

3970 0.20
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

BSS87H6327XTSA1

Datasheet

Tape & Reel (TR) SIPMOS™ Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 240 V 260mA (Ta) 4.5V, 10V 6Ohm @ 260mA, 10V 1.8V @ 108µA 5.5 nC @ 10 V ±20V 97 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
IRLR8729TRLPBF

IRLR8729TRLPBF

MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK

Infineon Technologies

2418 0.24
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IRLR8729TRLPBF

Datasheet

Tape & Reel (TR) HEXFET® Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 58A (Tc) 4.5V, 10V 8.9mOhm @ 25A, 10V 2.35V @ 25µA 16 nC @ 4.5 V ±20V 1350 pF @ 15 V - 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
IRLR8729TRPBF

IRLR8729TRPBF

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

Infineon Technologies

2971 0.69
- +

Добавить в корзину

Немедленный запрос

IRLR8729TRPBF

Datasheet

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) HEXFET® Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 58A (Tc) 4.5V, 10V 8.9mOhm @ 25A, 10V 2.35V @ 25µA 16 nC @ 4.5 V ±20V 1350 pF @ 15 V - 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
Total 42446 Records«Prev1... 142143144145146147148149...2123Next»
RFQ
Номер запчасти
Количество
Связь
Электронная почта
Компания
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    О нас

    О нас